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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    17年

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

    17年

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  • 深圳市威雅利發(fā)展有限公司

    8年

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ZXMP3F37N8 PDF資料
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  • 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
  • PDF文件大小：299.29 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共8頁
  • 描述：30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET
ZXMP3F37N8TA技術(shù)規(guī)格
  • 包裝：8SO
  • 渠道類型：P
  • 通道模式：Enhancement
  • 最大漏源電壓：30 V
  • 最大連續(xù)漏極電流：8.5 A
  • RDS -于：25@10V mOhm
  • 最大門源電壓：±20 V
  • 典型導(dǎo)通延遲時間：3.5 ns
  • 典型上升時間：4.9 ns
  • 典型關(guān)閉延遲時間：44 ns
  • 典型下降時間：28 ns
  • 工作溫度：-55 to 150 °C
  • 安裝：Surface Mount
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
  • 單位包：500
  • 最小起訂量：1000
  • FET特點：Logic Level Gate
  • 封裝：Tape & Reel (TR)
  • 安裝類型：Surface Mount
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：6.4A (Ta)
  • 的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 250μA
  • 封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
  • 其他名稱：ZXMP3F37N8TADI
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 7.1A, 10V
  • FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • 功率 - 最大：1.56W
  • 漏極至源極電壓（Vdss）：30V
  • 輸入電容（Ciss ） @ VDS：1678pF @ 15V
  • 閘電荷（Qg ） @ VGS：31.6nC @ 10V
  • RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
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