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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ZXMHC6A07N8TC PDF資料
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- 制造商:DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF文件大小:737.98 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共11頁(yè)
- 描述:60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC6A07N8TC技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SO-8
- 通道數(shù)量:4 Channel
- 晶體管極性:N-Channel, P-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
- Id-連續(xù)漏極電流:1.8 A, 1.42 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:250 mOhms, 400 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Qg-柵極電荷:3.2 nC, 5.7 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:0.87 W
- 配置:Quad
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 系列:ZXMHC6
- 晶體管類型:2 N-Channel, 2 P-Channel
- 商標(biāo):Diodes Incorporated
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:2.3 S, 1.8 S
- 下降時(shí)間:2 ns, 5.8 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:1.4 ns, 2.3 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:4.9 ns, 13 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:1.8 ns, 1.6 ns
- 單位重量:74 mg
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