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- 品牌
- 封裝
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- 備注
- 詢價
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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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更多收回
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深圳市裕順宏電子有限公司
13年
陳R華強(qiáng)北01010814
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ZXMC3A16DN8TC
- ZETEX
- SOP8
- 14+
- 9000
- 原裝現(xiàn)貨，樣品可售，量大價優(yōu)
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ZXMC3A16DN8TC PDF資料
- 資料下載
- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大小：301.37 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共10頁
- 描述：COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC3A16DN8TC技術(shù)規(guī)格
- Rohs：Lead free / RoHS Compliant
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
- FET 型
：N and P-Channel
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓（VDSS）：30V
- 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：4.9A, 4.1A
- Rds（最大）@ ID，VGS：35 mOhm @ 9A, 10V
- VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：17.5nC @ 10V
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：796pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安裝類型
：Surface Mount
- 包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
- 包裝材料
：Tape & Reel (TR)
- 包裝：8SOIC
- 渠道類型：N|P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大連續(xù)漏極電流：6.4@N Channel|5.5@P Channel A
- RDS -于：35@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時間：3 ns
- 典型上升時間：6.4 ns
- 典型關(guān)閉延遲時間：21.6 ns
- 典型下降時間：9.4 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
- 最大門源電壓：±20
- 包裝寬度：4(Max)
- PCB：8
- 最大功率耗散：2100
- 最大漏源電壓：30
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最大漏源電阻：35@10V
- 每個芯片的元件數(shù)：2
- 最低工作溫度：-55
- 供應(yīng)商封裝形式：SOIC
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOIC
- 最高工作溫度：150
- 包裝長度：5(Max)
- 引腳數(shù)：8
- 包裝高度：1.5(Max)
- 最大連續(xù)漏極電流：6.4@N Channel|5.5@P Channel
- 封裝：Tape and Reel
- 鉛形狀：Gull-wing
- 單位包：2500
- 最小起訂量：2500
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：4.9A, 4.1A
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：35 mOhm @ 9A, 10V
- FET型：N and P-Channel
- 功率 - 最大：1.25W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：30V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：796pF @ 25V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：17.5nC @ 10V
- 封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 其他名稱：ZXMC3A16DN8TCCT
- 工廠包裝數(shù)量：2500
- 產(chǎn)品種類：MOSFET
- 晶體管極性：N and P-Channel
- 配置：Dual Dual Drain
- 源極擊穿電壓：+/- 20 V
- 連續(xù)漏極電流：+ 6.4, - 5.4 A
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- RDS（ON）：35 mOhms
- 功率耗散：2.1 W
- 最低工作溫度：- 55 C
- 封裝/外殼：SOIC-8
- 上升時間：6.4 ns
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 漏源擊穿電壓：+/- 30 V
- RoHS：RoHS Compliant
- 下降時間：9.4 ns
- 柵源電壓（最大值）：?20 V
- 漏源導(dǎo)通電阻：0.035 ohm
- 工作溫度范圍：-55C to 150C
- 包裝類型：SOIC
- 極性：N/P
- 類型：Power MOSFET
- 元件數(shù)：2
- 工作溫度分類：Military
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