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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ZVP2120ASTZ PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Diodes Incorporated
- PDF文件大?。?08.78 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共3頁(yè)
- 描述：MOSFET P-Chnl 200V
ZVP2120ASTZ技術(shù)規(guī)格
- Rohs：Lead free / RoHS Compliant
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
- FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓（VDSS）：200V
- 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：120mA
- Rds（最大）@ ID，VGS：25 Ohm @ 150mA, 10V
- VGS（TH）（最大）@ Id：3.5V @ 1mA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：-
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：100pF @ 25V
- 功率 - 最大：700mW
- 安裝類(lèi)型
：Through Hole
- 包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-92-3
- 包裝材料
：Tape & Box (TB)
- 包裝：3E-Line
- 渠道類(lèi)型：P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：200 V
- 最大連續(xù)漏極電流：0.12 A
- RDS -于：25000@10V mOhm
- 最大門(mén)源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：7(Max) ns
- 典型上升時(shí)間：15(Max) ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12(Max) ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Through Hole
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Ammo Pack
- 最大門(mén)源電壓：±20
- 包裝寬度：2.41(Max)
- PCB：3
- 最大功率耗散：700
- 最大漏源電壓：200
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最大漏源電阻：25000@10V
- 每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
- 最低工作溫度：-55
- 供應(yīng)商封裝形式：E-Line
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱(chēng)：TO-92
- 最高工作溫度：150
- 包裝長(zhǎng)度：4.77(Max)
- 引腳數(shù)：3
- 包裝高度：4.01(Max)
- 最大連續(xù)漏極電流：0.12
- 封裝：Tape and Reel
- 鉛形狀：Through Hole
- 單位包：2000
- 最小起訂量：2000
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 安裝類(lèi)型：Through Hole
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：120mA (Ta)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：3.5V @ 1mA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3
- 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 Ohm @ 150mA, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：700mW
- 漏極至源極電壓（Vdss）：200V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：100pF @ 25V
- 封裝/外殼：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 其他名稱(chēng)：ZVP2120ASCT
- 工廠包裝數(shù)量：2000
- 產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
- 晶體管極性：P-Channel
- 配置：Single
- 源極擊穿電壓：+/- 20 V
- 連續(xù)漏極電流：- 120 mA
- 安裝風(fēng)格：Through Hole
- RDS（ON）：25 Ohms
- 功率耗散：700 mW
- 最低工作溫度：- 55 C
- 封裝/外殼：TO-92
- 上升時(shí)間：15 ns
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 漏源擊穿電壓：- 200 V
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