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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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WNM2021-3/TR PDF資料
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- 制造商:WILLSEMI[Will Semiconductor Ltd.]
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- PDF文件頁(yè)數(shù):共6頁(yè)
- 描述:N-Channel, 20V, 0.89A, Small Signal MOSFET
WNM2021-3/TR技術(shù)規(guī)格
- 商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
- 漏源電壓(Vdss)20V
- 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))820mA
- 柵源極閾值電壓850mV @ 250uA
- 漏源導(dǎo)通電阻310mΩ @ 550mA,4.5V
- 最大功率耗散(Ta=25°C)310mW
- 類型N溝道
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