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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

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  • 深圳市威雅利發(fā)展有限公司

    8年

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  • 深圳市拓億芯電子有限公司

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

    9年

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ULN2004AS16-13 PDF資料
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  • 制造商：DIODES[Diodes Incorporated]
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  • PDF文件頁數(shù)：共13頁
  • 描述：HIGHU VLONL2T0A0G4EA, HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
ULN2004APG(C,N,HZN技術(shù)規(guī)格
  • 電流 - 集電極（ Ic）（最大）：500mA
  • 晶體管類型：7 NPN Darlington
  • 安裝類型：Through Hole
  • 下的Vce飽和度（最大） Ib，Ic條件：1.6V @ 500μA, 350mA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：16-DIP
  • 封裝：Tube
  • 功率 - 最大：1.47W
  • 封裝/外殼：16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時：1000 @ 350mA, 2V
  • 安裝風(fēng)格：Through Hole
  • 晶體管極性：NPN
  • 直流集電極/增益hfe最小值：1000
  • 集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO：1.6 V
  • 功率耗散：1.47 W
  • 輸出類型：TTL, CMOS
  • 最低工作溫度：- 40 C
  • 配置：Array
  • 最高工作溫度：+ 85 C
  • RoHS：RoHS Compliant
  • 連續(xù)集電極電流：500 mA
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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