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  • 柒號芯城電子商務（深圳）有限公司認證

    13年

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    ULN2003AFWG(SCELM)

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 原裝正品　

  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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  • 北京芯時代電子科技發(fā)展有限公司

    7年

    1326124293613261242936王靜北京市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)興茂一街7號院U谷科創(chuàng)中心A座60211012942

  • ULN2003AFWG,O,N,E
  • ToshibaSemiconductorandStorage　
  • 原裝　
  • 2021+　
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  • 東芝代理 原裝正品　

  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

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ULN2003AG PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
  • PDF文件大?。?2.5 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共5頁
  • 描述：High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
ULN2003AFWG,O,N,E技術規(guī)格
  • 晶體管類型7 NPN 達林頓
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）500mA
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）50V
  • 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）1.6V @ 500μA，350mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）50μA
  • 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）1000 @ 350mA，2V
  • 功率 - 最大值1.25W
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 封裝/外殼16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應商器件封裝16-SOL
  • 無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs
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