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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    TPS1101DG4

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

    9年

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  • 集好芯城

    17年

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  • TI/德州儀器　
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  • 京海半導(dǎo)體（深圳）有限公司

    7年

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  • 深圳市維基鴻電子有限公司

    7年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市新啟創(chuàng)電子科技有限公司

    7年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • TPS1101DG4
  • Texas Instruments　
  • 8-SOIC　
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  • 只做原裝　

TPS1101DG4 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：TI1[Texas Instruments]
  • PDF文件大小：495.85 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共13頁
  • 描述：SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101DG4技術(shù)規(guī)格
  • 制造商產(chǎn)品頁：TPS1101DG4 Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • 包裝：管件
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：15V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.3A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：11.25nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：-
  • 功率 - 最大值：791mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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