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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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TPN6R003NL,LQ PDF資料
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- 制造商:Toshiba
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- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V
TPN6R003NL,LQ技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TSON-Advance-8
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:56 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.8 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:17 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:32 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Reel
- 高度:0.85 mm
- 長度:3.1 mm
- 系列:TPN6R003NL
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:3.1 mm
- 商標(biāo):Toshiba
- 下降時(shí)間:3.3 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:4.1 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:11 ns
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