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  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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    10年

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

    10年

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TPHR8504PL1,LQ(M PDF資料
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  • 制造商：TOSHIBA
  • PDF文件大?。?93.62 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共9頁
  • 描述：功率場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, N通道, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, 表面安裝
TPHR9003NL,L1Q技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Toshiba
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:SOP-Advance-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:60 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.1 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:74 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:78 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:0.95 mm
  • 長(zhǎng)度:5 mm
  • 系列:TPHR9003NL
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5 mm
  • 商標(biāo):Toshiba
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 子類別:MOSFETs
  • 單位重量:851 mg
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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