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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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TPCF8102(TE85L,F,M PDF資料
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- 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
- PDF文件大?。?51.82 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共7頁
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
TPCF8102(TE85L,F)技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
- FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- FET特點：Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓（VDSS）：20V
- 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：6A
- Rds（最大）@ ID，VGS：30 mOhm @ 3A, 4.5V
- VGS（TH）（最大）@ Id：1.2V @ 200μA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：19nC @ 5V
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：1550pF @ 10V
- 功率 - 最大：-
- 安裝類型
：Surface Mount
- 包/盒
：8-SMD, Flat Lead
- 供應(yīng)商器件封裝：VS-8 (2.9x1.9)
- 包裝材料
：Tape & Reel (TR);;其他的名稱；
- 最大門源電壓：±8
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最高工作溫度：150
- 通道模式：Enhancement
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：VS
- 最低工作溫度：-55
- 渠道類型：P
- 封裝：Tape and Reel
- 最大漏源電阻：[email protected]
- 最大漏源電壓：20
- 每個芯片的元件數(shù)：1
- 供應(yīng)商封裝形式：VS
- 最大功率耗散：2500
- 最大連續(xù)漏極電流：6
- 引腳數(shù)：8
- 連續(xù)漏極電流：6 A
- 柵源電壓（最大值）：?8 V
- 功率耗散：2.5 W
- 安裝：Surface Mount
- 漏源導(dǎo)通電阻：0.03 ohm
- 工作溫度范圍：-55C to 150C
- 包裝類型：VS
- 極性：P
- 類型：Power MOSFET
- 元件數(shù)：1
- 工作溫度分類：Military
- 漏源導(dǎo)通電壓：20 V
- 弧度硬化：No
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TPCF8102(T5LLNV2FM相關(guān)型號
