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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

    TP65H070LDG

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

    13267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790

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  • 集好芯城

    17年

    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號漢國中心55樓11010804

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

    10年

    0755-8322300313826514222余先生，張先生0755-83249919深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟31611011818

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  • 深圳市水星電子有限公司

    7年

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  • TP65H150G4PS
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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TP65H070LDG PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Transphorm
  • PDF文件大?。?.15 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共13頁
  • 描述：650 V 25 A GAN FET
TP65H070LDG技術(shù)規(guī)格
  • 包裝管件
  • 系列TP65H070L
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
  • 漏源電壓（Vdss）650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）25A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）85 毫歐 @ 16A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4.8V @ 700μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）9.3nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）600pF @ 400V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）96W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝3-PQFN（8x8）
  • 封裝/外殼3-PowerDFN
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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