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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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TP65H035G4WS PDF資料
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- 制造商：TRANSPHORM[Transphorm Inc]
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- 描述：TP65H035G4WS
TP65H035G4WS技術(shù)規(guī)格
- 包裝管件
- 系列-
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型N 通道
- 技術(shù)GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）
- 漏源電壓（Vdss）650V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）46.5A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
- 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）41 毫歐 @ 30A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）4.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）22nC @ 0V
- Vgs（最大值）±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）1500pF @ 400V
- FET 功能-
- 功率耗散（最大值）156W（Tc）
- 工作溫度-55°C ~ 150°C
- 安裝類型通孔
- 供應(yīng)商器件封裝TO-247-3
- 封裝/外殼TO-247-3
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
TP65H035G4WS相關(guān)型號(hào)
