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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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TK50P03M1(T6RSS-Q) PDF資料
- 資料下載
- 制造商:Toshiba
- PDF文件大?。?04.24 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFET N-ch 30V 50A DP
TK50P03M1(T6RSS-Q)技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表:TK50P03M1 -
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:-
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 25A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 200µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25.3nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1700pF @ 10V
- 功率 - 最大值:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:DP
- 其它名稱:TK50P03M1(T6RSSQ)TR
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