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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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TK4A53D(STA4,Q,M) PDF資料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大?。?86.51 Kbytes
- PDF文件頁數:共6頁
- 描述:MOSFET N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm
TK4A53D(STA4,Q,M)技術規(guī)格
- FET 類型:N 溝道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):525V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):490pF @ 25V
- 功率耗散(最大值):35W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 歐姆 @ 2A,10V
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 供應商器件封裝:TO-220SIS
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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