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TK3R1A04PL PDF資料
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  • 制造商:ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]
  • PDF文件大?。?88.93 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共2頁
  • 描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
TK3R1A04PL,S4X技術規(guī)格
  • 制造商:Toshiba
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220FP-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:82 A
  • Rds On-漏源導通電阻:2.5 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.4 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:63.4 nC
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:36 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 高度:15 mm
  • 長度:10 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.5 mm
  • 商標:Toshiba
  • 下降時間:27 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:12 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:83 ns
  • 典型接通延遲時間:28 ns
  • 單位重量:2 g
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