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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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TK16N60W,S1VF PDF資料
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- 制造商:Toshiba
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- 描述:MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
TK16N60W,S1VF技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-247-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:15.8 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:160 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
- Qg-柵極電荷:38 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:130 W
- 配置:Single
- 商標(biāo)名:DTMOSIV
- 高度:20.95 mm
- 長(zhǎng)度:15.94 mm
- 系列:TK16N60W
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5.02 mm
- 商標(biāo):Toshiba
- 下降時(shí)間:5 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:25 ns
- 工廠包裝數(shù)量:30
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:50 ns
- 單位重量:38 g
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