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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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TK15S04N1L,LQ PDF資料
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- 制造商：Toshiba
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- 描述：MOSFET UMOSVIII 40V 17.8m max(VGS=10V) DPAK
TK15S04N1L,LQ技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-252-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
- Id-連續(xù)漏極電流:15 A
- Rds On-漏源導通電阻:13.7 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:10 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:40 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:2.3 mm
- 長度:6.5 mm
- 系列:TK15S04N1L
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5.5 mm
- 商標:Toshiba
- 下降時間:6 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:28 ns
- 典型接通延遲時間:14 ns
- 單位重量:4 g
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