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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市鑫晟源電子科技有限公司

    18年

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  • 集好芯城

    17年

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  • 深圳市芯澤盛世科技有限公司

    10年

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  • 深圳市高捷半導(dǎo)體有限公司

    4年

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  • 深圳市駿凱誠科技有限公司

    7年

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

    10年

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  • 上海三崧電子有限公司

    5年

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

    10年

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TK12Q60W,S1VQ PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Toshiba
  • PDF文件大?。?45.30 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共10頁
  • 描述：MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
TK12Q60W,S1VQ技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Toshiba
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-251-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:11.5 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:265 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
  • Qg-柵極電荷:25 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:100 W
  • 配置:Single
  • 商標(biāo)名:DTMOSIV
  • 高度:6.1 mm
  • 長度:6.65 mm
  • 系列:TK12Q60W
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:2.3 mm
  • 商標(biāo):Toshiba
  • 下降時間:5.5 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:23 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:75
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:85 ns
  • 典型接通延遲時間:45 ns
  • 單位重量:4 g
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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