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TIP132G PDF資料
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  • 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
  • PDF文件大小:61.1 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共4頁
  • 描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TIP132G技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:晶體管(BJT) - 單路
  • 系列:-
  • 包裝:管件
  • 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 30mA,6A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):500µA
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 頻率 - 躍遷:-
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
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