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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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TC58BYG0S3HBAI4 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Toshiba Memory
  • PDF文件大小：2.15 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共46頁
  • 描述：NAND閃存 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BYG0S3HBAI4技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Toshiba
  • 產(chǎn)品種類:NAND閃存
  • RoHS:是
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TFBGA-63
  • 存儲容量:1 Gbit
  • 接口類型:Parallel
  • 組織:128 M x 8
  • 定時類型:Synchronous
  • 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit
  • 電源電壓-最小:1.7 V
  • 電源電壓-最大:1.95 V
  • 電源電流—最大值:30 mA
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 85 C
  • 封裝:Tray
  • 存儲類型:NAND
  • 產(chǎn)品:NAND Flash
  • 速度:25 ns
  • 結(jié)構(gòu):Block Erase
  • 商標(biāo):Toshiba Memory
  • 最大時鐘頻率:-
  • 濕度敏感性:Yes
  • 產(chǎn)品類型:NAND Flash
  • 工廠包裝數(shù)量:210
  • 子類別:Memory & Data Storage
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