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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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SUP90N06-05L-E3 PDF資料
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- 制造商:Vishay / Siliconix
- PDF文件大?。?1.72 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共6頁
- 描述:MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V
SUP90N06-05L-E3技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Vishay
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
- Id-連續(xù)漏極電流:90 A
- Rds On-漏源導通電阻:3.9 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- Qg-柵極電荷:300 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:300 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:TrenchFET
- 封裝:Tube
- 系列:SUP
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標:Vishay / Siliconix
- 正向跨導 - 最小值:30 S
- 下降時間:280 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:130 ns
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:110 ns
- 典型接通延遲時間:22 ns
- 單位重量:6 g
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