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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
SUD35N10-26P-E3 MOS(場效應管)
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SUD35N10-26P-GE3 PDF資料
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- 制造商：Vishay / Siliconix
- PDF文件大?。?82.51 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
SUD35N10-26P-GE3技術(shù)規(guī)格
- 標準包裝：2,000
- 類別：分立半導體產(chǎn)品
- 家庭：FET - 單
- 系列：TrenchFET®
- 包裝：帶卷（TR）
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：35A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 12A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.4V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：47nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2000pF @ 12V
- 功率 - 最大值：83W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
- 其它名稱：SUD35N10-26P-GE3TRSUD35N1026PGE3
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