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    STP11NK80

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    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號(hào)漢國(guó)中心55樓11010804

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  • ST/意法 
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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STP11NM50N PDF資料
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  • 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
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  • 描述:N-channel 500 V, 0.4, 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220
STP11NM50N技術(shù)規(guī)格
  • 其它有關(guān)文件:STP11NM50N View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
  • 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:MDmesh? II
  • 包裝:管件
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss):500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.5A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):470 毫歐 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):547pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:70W
  • 安裝類(lèi)型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
  • 其它名稱(chēng):497-10576-5
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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