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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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STL4P3LLH6 PDF資料
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- 制造商:STMicroelectronics
- PDF文件大?。?40.23 Kbytes
- PDF文件頁數:共13頁
- 描述:MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package
STL4P3LLH6技術規(guī)格
- 系列:DeepGATE?,STripFET? H6
- FET類型:P 溝道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):4A(Ta)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
- 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):639pF @ 25V
- Vgs(最大值):±20V
- 功率耗散(最大值):2.4W(Ta)
- 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):56 毫歐 @ 2A,10V
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-PowerWDFN
- 封裝形式Package:Power
- 極性Polarity:P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:30V
- 連續(xù)漏極電流ID:4A
- 無鉛情況/RoHs:否
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