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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

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  • 萬三科技(深圳)有限公司

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STI55NF03L PDF資料
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  • 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
  • PDF文件大?。?48.94 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:Optimized for high switching operation
STI55NF03L技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-262-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:55 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
  • Qg-柵極電荷:27 nC
  • 最小工作溫度:- 60 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:80 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 商標(biāo)名:STripFET
  • 封裝:Tube
  • 高度:4.6 mm
  • 長度:10.4 mm
  • 系列:STI55NF03L
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:9.35 mm
  • 商標(biāo):STMicroelectronics
  • 下降時間:50 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:400 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:1000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:25 ns
  • 典型接通延遲時間:28 ns
  • 單位重量:2.084 g
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