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SSM3K56CT,L3F PDF資料
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  • 制造商:Toshiba
  • PDF文件大?。?03.45 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:MOSFET Small Low ON Resistane MOSFETs
SSM3K56CT,L3F技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Toshiba
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:CST3-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:800 mA
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:186 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
  • Qg-柵極電荷:1 nC
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:0.38 mm
  • 長度:1 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:0.6 mm
  • 商標(biāo):Toshiba
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 工廠包裝數(shù)量:10000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:8.5 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:5.5 ns
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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