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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    SSM3J305T(TE85LF)

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

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  • 深圳市成源運(yùn)利電子科技有限公司

    9年

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  • TOSHIBA　
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  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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  • SSM3J306T
  • Toshiba　
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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

    0755-8320414118118747668許小姐深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽 格科技園4棟東5層50211017049

  • SSM3J305T-VB
  • VBSEMI/微碧半導(dǎo)體　
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  • 臺(tái)積電晶圓長(zhǎng)電封裝微碧原裝可長(zhǎng)久大量供應(yīng)　

SSM3J306T PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
  • PDF文件大?。?11.58 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共2頁
  • 描述：Product specification
SSM3J306T(TE85L,F)技術(shù)規(guī)格
  • 數(shù)據(jù)列表：SSM3J306T -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • 包裝：帶卷（TR）
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源極電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.4A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：117 毫歐 @ 1A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：-
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：2.5nC @ 15V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：280pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：700mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封裝：TSM
  • 其它名稱：SSM3J306T (TE85L,F)SSM3J306T(TE85LF)TRSSM3J306TTE85LF
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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