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    SSM3J16TE

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    9

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  • 深圳誠思涵科技有限公司

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SSM3J16TE PDF資料
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  • 制造商:TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
  • PDF文件大小:180.1 Kbytes
  • PDF文件頁數:共5頁
  • 描述:Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
SSM3J304T(TE85L,F)技術規(guī)格
  • 數據列表:SSM3J304T -
  • 標準包裝:3,000
  • 類別:分立半導體產品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:-
  • 包裝:帶卷(TR)
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動
  • 漏源極電壓(Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):127毫歐 @ 1A,4V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):335pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商器件封裝:TSM
  • 其它名稱:SSM3J304T(TE85LF)TRSSM3J304TTE85LF
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