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    SQ2310ES-T1_GE3

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  • 深圳市宏創(chuàng)新業(yè)電子有限公司

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市成源運利電子科技有限公司

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  • 深圳市星宇佳科技有限公司

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  • 深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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  • 深圳市芯澤盛世科技有限公司

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • Vishay(威世) 
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  • 深圳誠思涵科技有限公司

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  • 深圳市浩睿澤電子科技有限公司

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  • 芯萊德電子(香港)有限公司

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  • 深圳市賽美科科技有限公司

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  • 深圳市科思奇電子科技有限公司

    18

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  • 深圳市芯奕科技有限公司

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  • 深圳市辰芯偉業(yè)科技有限公司

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  • 深圳市駿凱誠科技有限公司

    7

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

    10

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  • SQ2310ES-T1_GE3 有3條相似型號信息
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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

    15

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  • 上海三崧電子有限公司

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  • VISHAY(威世) 
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  • 深圳市宸遠(yuǎn)科技有限公司

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  • VISHAY/威世 
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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

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  • VBSEMI/微碧半導(dǎo)體 
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  • 深圳市萊杰信科技有限公司

    12

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  • SQ2310ES-T1-GE3
  • VISHAY/威世 
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  • 全新原裝正品現(xiàn)貨,價格最優(yōu)惠,假一罰百 

  • 萬三科技(深圳)有限公司

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  • SQ2310ES-T1_GE3
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  • 原廠COC隨貨 
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5

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  • SQ2310ES-T1-GE3
  • VISHAY-威世 
  • SOT-23-3 
  • ▉▉:2年內(nèi) 
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5

    實-單-專-線----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-問-秒-回彭小姐深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室11016819

  • SQ2310ES-T1-GE3
  • VISHAY-威世 
  • SOT-23.貼片 
  • ▉▉:2年內(nèi) 
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5

    實-單-專-線----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-問-秒-回彭小姐深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室11016818

  • SQ2310ES-T1_GE3 有1條相似型號信息
  • VISHAY-威世 
  • TO-236-3 
  • ▉▉:2年內(nèi) 
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  • 北京顯周科技有限公司

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    010-85525361+8613910052844劉子書北京市海淀區(qū)西三旗沁春家園1號樓、2號樓、3號樓2層201-203611012839

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  • 深圳市諾普迅電子科技有限公司

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  • SQ2310ES-T1-GE3
  • 19+ 
  • SOT-23 
  • VISHAY/威世 
  • 13200 
  • 原裝正品,優(yōu)勢供應(yīng),大量現(xiàn)貨 

  • 深圳市威雅利發(fā)展有限公司

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    1812404712018124047120韓雪華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A16樓01012660

  • SQ2310ES-T1-GE3
  • MPS/美國芯源 
  • SOT23-5 
  • 20+ 
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SQ2310ES-T1_GE3 PDF資料
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  • 制造商:Vishay / Siliconix
  • PDF文件大小:203.83 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified
SQ2310ES-T1_GE3技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Vishay
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-236-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:6 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
  • Qg-柵極電荷:8.5 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:2 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 商標(biāo)名:TrenchFET
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 系列:SQ
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Vishay / Siliconix
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:27 S
  • 下降時間:9 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:8 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:21 ns
  • 典型接通延遲時間:7 ns
  • 單位重量:1.438 g
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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