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    SPW32N50C3(2)

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  • INFINEON 
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  • Infineon 
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SPW32N50C3_08 PDF資料
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  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大?。?27.9 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:Cool MOSa?¢ Power Transistor
SPW32N50C3FKSA1技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):560V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1.8mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):170nC
  • 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4200pF
  • 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
  • 功率耗散(最大值):284W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
  • 封裝/外殼:PG-TO247-3
  • 通道類型:N
  • 最大連續(xù)漏極電流:32 A
  • 最大漏源電壓:560 V
  • 最大漏源電阻值:110 m0hms
  • 最大柵閾值電壓:3.9V
  • 最小柵閾值電壓:2.1V
  • 最大柵源電壓:-20 V、+20 V
  • 封裝類型:TO-247
  • 引腳數(shù)目:3
  • 晶體管配置:
  • 通道模式:增強(qiáng)
  • 類別:功率 MOSFET
  • 最大功率耗散:284 W
  • 高度:21.1mm
  • 每片芯片元件數(shù)目:1
  • 尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm
  • 寬度:5.21mm
  • 系列:CoolMOS C3
  • 晶體管材料:Si
  • 典型柵極電荷@Vgs:170 nC @ 10 V
  • 典型輸入電容值@Vds:4200 pF @ 25 V
  • 典型關(guān)斷延遲時間:100 ns
  • 典型接通延遲時間:20 ns
  • 最低工作溫度:-55 °C
  • 最高工作溫度:+150 °C
  • 長度:16.13mm
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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