�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A���������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
SPP08P06PHXKSA1
- Infineon Technologies��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 812��
- ԭ�b��Ʒ��
-


SPP08P06PHXKSA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ���С��477.63 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����10�
- ������MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3
SPP08P06PHXKSA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- FET ��ͣ�P �ϵ�
- ���g(sh��)��MOSFET�����������
- ©Դ늉���Vdss����60V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r����8.8A��Tc��
- �(q��)��늉������ Rds On����С Rds On����10V
- ��ͬ Id �r�� Vgs��th�������ֵ����4V @ 250��A
- ��ͬ Vgs �r�ĖŘO늺�?��Qg�������ֵ����15nC @ 10V
- Vgs�����ֵ������20V
- ��ͬ Vds �r��ݔ����ݣ�Ciss�������ֵ����420pF @ 25V
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����42W��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r��?Rds On�����ֵ����300 ���W @ 6.2A��10V
- �����ضȣ�-55��C ~ 175��C��TJ��
- ���b��ͣ�ͨ��
- ����(y��ng)���������b��PG-TO-220-3
- ���b/�⚤��PG-TO220-3
- ͨ����ͣ�P
- ����B�m(x��)©�O�����8.8 A
- ���©Դ늉���60 V
- ���©Դ���ֵ��300 m0hms
- �����ֵ늉���4V
- ��С���ֵ늉���2.1V
- ����Դ늉���-20 V��+20 V
- ���b��ͣ�TO-220
- ���w�������
- ���_��(sh��)Ŀ��3
- ͨ��ģʽ������
- e������ MOSFET
- ����ʺ�ɢ��42 W
- �L�ȣ�10.36mm
- ÿƬоƬԪ����(sh��)Ŀ��1
- �ߴ磺10.36 x 4.57 x 15.95mm
- ���ȣ�4.57mm
- ϵ�У�SIPMOS
- ���w�ܲ��ϣ�Si
- ���͖ŘO늺�@Vgs��10 nC @ 10 V
- ����ݔ�����ֵ@Vds��335 pF @ -25 V
- �����P(gu��n)�����t�r�g��48 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g��16 ns
- ������ضȣ�-55 ��C
- ��߹����ضȣ�+175 ��C
- �߶ȣ�15.95mm
- �o�U��r/RoHs���o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
SPP08P06PHXK���P(gu��n)��̖