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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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  • 深圳市鑫晟源電子科技有限公司

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  • 深圳市星宇佳科技有限公司

    6年

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  • 深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

    9年

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    17年

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

    17年

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

    11年

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  • 深圳市浩睿澤電子科技有限公司

    16年

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  • 芯萊德電子（香港）有限公司

    11年

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  • 深圳市辰芯偉業(yè)科技有限公司

    10年

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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

    10年

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

    15年

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  • 上海三崧電子有限公司

    5年

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

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    10年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市芯福林電子科技有限公司

    8年

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  • VISHAY(威世)　
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • SISA40DN-T1-GE3
  • Vishay / Siliconix　
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SISA40DN-T1-GE3 PDF資料
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  • 制造商：Vishay / Siliconix
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  • 描述：MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA40DN-T1-GE3技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Vishay
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:162 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.1 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:12 V, - 8 V
  • Qg-柵極電荷:53 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:52 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:TrenchFET, PowerPAK
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 系列:SIS
  • 晶體管類型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
  • 商標(biāo):Vishay / Siliconix
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:60 S
  • 下降時間:10 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:5 ns, 13 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:40 ns
  • 典型接通延遲時間:20 ns
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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