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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

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    17年

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  • 深圳市賽美科科技有限公司

    13年

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  • 深圳市辰芯偉業(yè)科技有限公司

    10年

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

    4年

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  • 深圳市威雅利發(fā)展有限公司

    8年

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  • ADI/亞德諾　
  • SOP8　
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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SIS822DNT-T1-GE3 PDF資料
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  • 制造商：Vishay / Siliconix
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  • PDF文件頁數(shù)：共8頁
  • 描述：MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
SIS822DNT-T1-GE3技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：12A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：435pF @ 15V
  • 功率耗散（最大值）：15.6W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 7.8A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? 1212-8
  • 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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