�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
RQJ0204XGDQATL-E PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�RENESAS[Renesas Technology Corp]
- PDF�������92.43 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����7�
- ������Silicon P Channel MOS FET Power Switching
RQJ0301HGDQS#H3���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ���b��4UPAK
- ������ͣ�P
- ͨ��ģʽ��Enhancement
- ���©Դ늉���30 V
- ����B�m(x��)©�O�����5.2 A
- RDS -�ڣ�48@10V mOhm
- ����TԴ늉���10 V
- ���͌�(d��o)ͨ���t�r(sh��)�g��22 ns
- ���������r(sh��)�g��41 ns
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g��50 ns
- �����½��r(sh��)�g��6.8 ns
- �����ضȣ�-55 to 150 ��C
- ���b��Surface Mount
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��Tape & Reel
- associated��D00837CW8510
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
RQJ0204XGDQATL���P(gu��n)��̖(h��o)