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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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RN1131MFV,L3F PDF資料
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- 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
- PDF文件大?。?72.12 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共6頁(yè)
- 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1131MFV(TPL3)技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預(yù)偏置
- RoHS:否
- 配置:Single
- 晶體管極性:NPN
- 典型輸入電阻器:100 kOhms
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:VESM-3
- 直流集電極/Base Gain hfe Min:120
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V
- 集電極連續(xù)電流:100 mA
- 峰值直流集電極電流:100 mA
- Pd-功率耗散:150 mW
- 最小工作溫度:- 65 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:RN1131MFV
- 封裝:Reel
- 集電極—基極電壓 VCBO:50 V
- 直流電流增益 hFE 最大值:700
- 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
- 高度:0.5 mm
- 長(zhǎng)度:1.2 mm
- 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C
- 類型:NPN Epitaxial Silicon Transistor
- 寬度:0.8 mm
- 商標(biāo):Toshiba
- 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 工廠包裝數(shù)量:8000
- 子類別:Transistors
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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