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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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RN1106MFV(TPL3)
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RN1106MFV,L3F PDF資料
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- 制造商:Toshiba
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- 描述:雙極晶體管 - 預(yù)偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
RN1106MFV(TPL3)技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 預(yù)偏置
- RoHS:否
- 配置:Single
- 晶體管極性:NPN
- 典型輸入電阻器:4.7 kOhms
- 典型電阻器比率:0.1
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 直流集電極/Base Gain hfe Min:80
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V
- 集電極連續(xù)電流:100 mA
- 峰值直流集電極電流:100 mA
- Pd-功率耗散:150 mW
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:RN1106MFV
- 封裝:Reel
- 直流電流增益 hFE 最大值:80
- 商標(biāo):Toshiba
- 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 工廠包裝數(shù)量:8000
- 子類(lèi)別:Transistors
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