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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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RJP6065DPM PDF資料
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- 制造商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
- PDF文件大?。?7.98 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
RJP6085DPK-00#T0技術(shù)規(guī)格
- 標準包裝：100
- 類別：分立式導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭：IGBT - 單路
- 系列：-
- 包裝：管件
- IGBT 類型：-
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
- 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.5V @ 15V，40A
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：-
- 功率 - 最大值：178.5W
- Switching Energy：-
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：-
- Td (on/off) A 25°C：30ns/60ns
- Test Condition：300V, 40A, 5 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
- 安裝類型：通孔
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-3P
- 其它名稱：RJP6085DPK00T0
- ROHS： 無鉛
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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