�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
RGTH80TS65GC11
- ROHM Semiconductor��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 414��
- ԭ�b��Ʒ��
-


RGTH80TS65GC11 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ROHM Semiconductor
- PDF�ļ���С��993.23 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����11�(y��)
- ������IGBT ���w�� 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
RGTH80TS65GC11���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:IGBT ���w��
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b / ���w:TO-247N-3
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:650 V
- ��늘O����O�늉�:1.6 V
- �ŘO/�l(f��)��O���늉�:30 V
- ��25 C���B�m(x��)��늘O���:70 A
- Pd-���ʺ�ɢ:234 W
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 175 C
- ���b:Tube
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- �ŘO����O©й���:200 nA
- �a(ch��n)Ʒ���:IGBT Transistors
- ���S���b��(sh��)��:450
- ��e:IGBTs
- ���̖(h��o)�e��:RGTH80TS65
- �����:6 g
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
RGTH80TS65GC11���P(gu��n)��̖(h��o)