�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w�衢ISS01011808
-
RGTH80TS65DGC11
- ROHM Semiconductor��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 312��
- ԭ�b��Ʒ��
-


RGTH80TS65DGC11 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ROHM Semiconductor
- PDF�������1.25 Mbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����13�
- ������IGBT ���w�� 650V 40A IGBT Stop Trench
RGTH80TS65DGC11���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:IGBT ���w��
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b / ���w:TO-247-3
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:650 V
- ��늘O����O�늉�:1.6 V
- �ŘO/�l(f��)��O���늉�:30 V
- ��25 C���B�m(x��)��늘O���:70 A
- Pd-���ʺ�ɢ:234 W
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 175 C
- ϵ��:RGTH80TS65D
- ���b:Tube
- ��늘O����B�m(x��)��� Ic:70 A
- �����ضȷ���:- 40 C to + 175 C
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- ��늘O�B�m(x��)���:40 A
- �ŘO����O©й���:+/- 200 nA
- �a(ch��n)Ʒ���:IGBT Transistors
- ���S���b��(sh��)��:450
- ��e:IGBTs
- ���̖�e��:RGTH80TS65D
- �����:38 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
RGTH80TS65DG���P(gu��n)��̖