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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
PXAC261002FC-V1-R250
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PXAC261002FC-V1-R250 PDF資料
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- 制造商:Wolfspeed / Cree
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- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 RF LDMOS FET
PXAC261002FC-V1-R250技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Cree, Inc.
- 產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
- RoHS:是
- 晶體管極性:Dual N-Channel
- 技術(shù):Si
- Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:300 mOhms
- 增益:15.1 dB
- 輸出功率:100 W
- 最大工作溫度:+ 225 C
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:H-37248-4
- 封裝:Reel
- 工作頻率:2490 MHz to 2690 MHz
- 類型:RF Power MOSFET
- 商標(biāo):Wolfspeed / Cree
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:250
- 子類別:MOSFETs
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
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