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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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PTVA120251EA-V2-R0 PDF資料
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- 制造商:Wolfspeed / Cree
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- PDF文件頁數(shù):共14頁
- 描述:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 RF LDMOS FET
PTVA120251EA-V2-R0技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Cree, Inc.
- 產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
- RoHS:是
- 晶體管極性:N-Channel
- 技術(shù):Si
- Vds-漏源極擊穿電壓:105 V
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.4 Ohms
- 增益:18 dB
- 輸出功率:25 W
- 最大工作溫度:+ 225 C
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:H-36265-2
- 封裝:Reel
- 工作頻率:500 MHz to 1400 MHz
- 類型:RF Power MOSFET
- 商標(biāo):Wolfspeed / Cree
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:MOSFETs
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
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