篩選結(jié)果:供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢(xún)價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
PSMN3R3-80ES PDF資料
- 資料下載
- 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
- PDF文件大?。?93.66 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共14頁(yè)
- 描述:N-channel 80 V, 3.3 m?? standard level MOSFET in I2PAK
PSMN3R3-80ES,127技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
- 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:-
- 包裝:管件
- FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓(Vdss):80V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 25A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):139nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9961pF @ 40V
- 功率 - 最大值:338W
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I²Pak,TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK
- 其它名稱(chēng):568-8598-5934066133127PSMN3R380ES127
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
PSMN3R3-80ES相關(guān)型號(hào)