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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    PSMN3R3-100PS

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

    9年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市芯澤盛世科技有限公司

    10年

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  • 深圳德泰威爾科技有限公司

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PSMN3R3-40MLHX PDF資料
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  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • PDF文件大小：296.63 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共12頁
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
PSMN3R3-40MLHX技術(shù)規(guī)格
  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列-
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）118A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）3.3 毫歐 @ 25A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）2.15V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）54nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）3794pF @ 20V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）101W（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝LFPAK33
  • 封裝/外殼SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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