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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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NTD4302T4 PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小:85.71 Kbytes
- PDF文件頁數:共10頁
- 描述:Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)
NTD4302T4技術規(guī)格
- FET 類型:N 溝道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.4A(Ta),68A(Tc)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2400pF @ 24V
- 功率耗散(最大值):1.04W(Ta),75W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 供應商器件封裝:DPAK
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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