�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
MRFG35003N6AT1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]
- PDF�ļ���С��221.41 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����11�
- ������Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003N6AT1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:NXP
- �a(ch��n)Ʒ�N�:���l�Y(ji��)�ň�Ч��(y��ng)���w��(RF JFET)���w��
- RoHS:��
- ���w�����:pHEMT
- ���g(sh��):GaAs
- ����:10 dB
- Vds-©Դ�O����늉�:8 V
- Vgs-��Դ�O����늉� :- 5 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:2.9 A
- ������ض�:+ 85 C
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:PLD-1.5
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ����:Single Dual Source
- �����l��:3.55 GHz
- �a(ch��n)Ʒ:RF JFET
- ϵ��:MRFG35003N6AT1
- ���:GaAs pHEMT
- �̘�(bi��o):NXP / Freescale
- ���������:Yes
- P1dB - ���s�c:3 W
- �a(ch��n)Ʒ���:RF JFET Transistors
- ���S���b��(sh��)��:1000
- ��e:Transistors
- ���̖�e��:935309639515
- �����:280 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
MRFG35003N6AT1���P(gu��n)��̖