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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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MMBF0202PLT1 PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大?。?8.25 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
MMBF0202PLT1技術(shù)規(guī)格
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C:300mA
- Drain to Source Voltage (Vdss):20V
- FET Feature:Logic Level Gate
- FET Type:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- Gate Charge (Qg) @ Vgs:2.7nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) @ Vds:50pF @ 5V
- Mounting Type:Surface Mount
- Package / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Power - Max:225mW
- Product Change Notification:View
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 200mA, 10V
- Supplier Device Package:SOT-23-3
- Vgs(th) (Max) @ Id:2.4V @ 250μA
- 最大門源電壓:±20
- 最大漏源電壓:20
- 最高工作溫度:150
- 通道模式:Enhancement
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:SOT-23
- 最低工作溫度:-55
- 渠道類型:P
- 封裝:Tape and Reel
- 最大漏源電阻:1400@10V
- 每個(gè)芯片的元件數(shù):1
- 供應(yīng)商封裝形式:SOT-23
- 最大功率耗散:225
- 最大連續(xù)漏極電流:0.3
- 引腳數(shù):3
- 鉛形狀:Gull-wing
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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