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MMBF0202PLT1 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
  • PDF文件大?。?8.25 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
MMBF0202PLT1技術(shù)規(guī)格
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C:300mA
  • Drain to Source Voltage (Vdss):20V
  • FET Feature:Logic Level Gate
  • FET Type:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs:2.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds:50pF @ 5V
  • Mounting Type:Surface Mount
  • Package / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Power - Max:225mW
  • Product Change Notification:View
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 200mA, 10V
  • Supplier Device Package:SOT-23-3
  • Vgs(th) (Max) @ Id:2.4V @ 250μA
  • 最大門源電壓:±20
  • 最大漏源電壓:20
  • 最高工作溫度:150
  • 通道模式:Enhancement
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:SOT-23
  • 最低工作溫度:-55
  • 渠道類型:P
  • 封裝:Tape and Reel
  • 最大漏源電阻:1400@10V
  • 每個(gè)芯片的元件數(shù):1
  • 供應(yīng)商封裝形式:SOT-23
  • 最大功率耗散:225
  • 最大連續(xù)漏極電流:0.3
  • 引腳數(shù):3
  • 鉛形狀:Gull-wing
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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