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MJD350TF PDF資料
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  • 制造商:FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
  • PDF文件大?。?3.17 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共4頁
  • 描述:High Voltage Power Transistors
MJD350TF技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
  • RoHS:
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-252-3
  • 晶體管極性:PNP
  • 配置:Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 300 V
  • 集電極—基極電壓 VCBO:- 300 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 3 V
  • 最大直流電集電極電流:0.5 A
  • 最小工作溫度:- 65 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 系列:MJD350
  • 直流電流增益 hFE 最大值:240
  • 高度:2.3 mm
  • 長度:6.6 mm
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 寬度:6.1 mm
  • 商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
  • 集電極連續(xù)電流:- 0.5 A
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min:30
  • Pd-功率耗散:15 W
  • 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工廠包裝數(shù)量:2000
  • 子類別:Transistors
  • 單位重量:260.370 mg
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