�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IXFH46N65X2
- ԭ�S��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 417��
- ԭ�b��Ʒ��
-


IXFH46N65X2 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�IXYS[IXYS Corporation]
- PDF�ļ���С��155.29 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����5�
- ������X2-Class HiPerFETTM
IXFH46N65X2���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:IXYS
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-247-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:650 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:46 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:76 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2.7 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:30 V
- Qg-�ŘO늺�:75 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:660 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:HiPerFET
- ���b:Tube
- ϵ��:650V Ultra Junction X2
- �̘�(bi��o):IXYS
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:17 S
- �½��r�g:6 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:16 ns
- ���S���b��(sh��)��:30
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:47 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:34 ns
- �����:1.600 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IXFH46N65X2���P(gu��n)��̖